如今使用介質(zhì)陶瓷容器，以確保高介電常數(shù)和良好溫度特性的介質(zhì)陶瓷，可以被認(rèn)為是晶粒和其中形成芯，作為鐵電材料的一部分的組成環(huán)境，正常介電物質(zhì)的一部分共存的核、殼結(jié)構(gòu)是有效的，為了形成核、殼結(jié)構(gòu)的正常介電物質(zhì)的一部分，在添加的常規(guī)核、殼結(jié)構(gòu)中，Mg擴(kuò)散相對(duì)較深，因?yàn)镸g分布沒(méi)有特別控制。

因此不能獲得具有足夠高的介電常數(shù)、并具有良好溫度特性的介質(zhì)陶瓷，換句話說(shuō)，隨著多層介質(zhì)陶瓷電容器的電容增加，介電層前進(jìn)到薄層，并且所需的質(zhì)量水平非常高，然而傳統(tǒng)的介質(zhì)陶瓷，不能充分改善多層介質(zhì)陶瓷電容器的質(zhì)量。

由于目前提供一種介質(zhì)陶瓷，它具有足夠高的介電常數(shù)、并具有良好的溫度特性，在Mg的情況下，當(dāng)分布層的深度，即擴(kuò)散層的厚度小于5％時(shí)，介質(zhì)陶瓷的介電材料部分與晶粒直徑充分相反，并形成室溫下的恒定電介質(zhì)和低至、的低溫特性，另一方面鐵電物質(zhì)的部分變得太小，并且高溫下的溫度特性劣化，并且由于Mg和晶粒的量小，所獲得的效果抑制了鎂的晶粒生長(zhǎng)，難以降低結(jié)構(gòu)的均勻性和核顆粒的尺寸。

當(dāng)Mg的分布層包含在距晶界的一定范圍內(nèi)時(shí)，Mg適當(dāng)?shù)卮嬖谟诰Я：途ЯＶg，并且可以獲得合適的一個(gè)，晶體被Mg抑制，晶粒生長(zhǎng)的效果是實(shí)現(xiàn)核心結(jié)構(gòu)的均勻性和粒子的尺寸，此外，如果在本產(chǎn)品中規(guī)定Mg分布的深度，則燒結(jié)容量為介電常數(shù)高，溫度特性良好，因此本產(chǎn)品改善了超大容量疊層介質(zhì)陶瓷電容器的質(zhì)量。